型号 : | NTQS6463R2 |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
RoHs状态 : | 包含铅/ RoHS不兼容 |
可用库存 | 4768 pcs |
数据库 | NTQS6463R2.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 900mV @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 930mW (Ta) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名称 | NTQS6463R2OS |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Contains lead / RoHS non-compliant |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 50nC @ 5V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 2.5V, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
详细说明 | P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 6.8A (Ta) |