型号 : | NTQD6866R2G |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4105 pcs |
数据库 | NTQD6866R2G.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 1.2V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
功率 - 最大 | 940mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名称 | NTQD6866R2GOS |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 3 (168 Hours) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 1400pF @ 16V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 4.7A |