| 型号 : | J113_D26Z |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 4462 pcs |
| 数据库 | J113_D26Z.pdf |
| 电压 - 截止（VGS关闭）@标识 | 500mV @ 1µA |
| 电压 - 击穿（V（BR）GSS） | 35V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 系列 | - |
| 电阻 - RDS（ON） | 100 Ohms |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET型 | N-Channel |
| 详细说明 | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| 电流 - 漏极（范围Idss）@ Vds的（VGS = 0） | 2mA @ 15V |
| 基础部件号 | J113 |
