型号 : | J112-D27Z |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 368575 pcs |
数据库 | J112-D27Z.pdf |
电压 - 截止(VGS关闭)@标识 | 1V @ 1µA |
电压 - 击穿(V(BR)GSS) | 35V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
系列 | - |
电阻 - RDS(ON) | 50 Ohms |
功率 - 最大 | 625mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名称 | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 6 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | - |
FET型 | N-Channel |
详细说明 | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
电流 - 漏极(范围Idss)@ Vds的(VGS = 0) | 5mA @ 15V |
基础部件号 | J112 |