型号 : | HGTG12N60A4D |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | IGBT 600V 54A 167W TO247 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 19819 pcs |
数据库 | HGTG12N60A4D.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.7V @ 15V, 12A |
测试条件 | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Td(开/关)@ 25°C | 17ns/96ns |
开关能量 | 55µJ (on), 50µJ (off) |
供应商设备封装 | TO-247 |
系列 | - |
反向恢复时间(trr) | 30ns |
功率 - 最大 | 167W |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-247-3 |
其他名称 | HGTG12N60A4D_NL HGTG12N60A4D_NL-ND |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入类型 | Standard |
IGBT类型 | - |
栅极电荷 | 78nC |
详细说明 | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-247 |
电流 - 集电极脉冲(ICM) | 96A |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 54A |
基础部件号 | HGTG12N60 |