型号 : | HGTD3N60C3S9A |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4591 pcs |
数据库 | HGTD3N60C3S9A.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2V @ 15V, 3A |
测试条件 | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Td(开/关)@ 25°C | - |
开关能量 | 85µJ (on), 245µJ (off) |
供应商设备封装 | TO-252AA |
系列 | - |
功率 - 最大 | 33W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入类型 | Standard |
IGBT类型 | - |
栅极电荷 | 10.8nC |
详细说明 | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
电流 - 集电极脉冲(ICM) | 24A |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 6A |