型号 : |
EPC2110 |
厂家/品牌 : |
EPC |
描述 : |
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
28253 pcs |
数据库 |
EPC2110.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
2.5V @ 700µA |
供应商设备封装 |
Die |
系列 |
eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
60 mOhm @ 4A, 5V |
功率 - 最大 |
- |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封装/箱体 |
Die |
其他名称 |
917-1152-1 |
工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
14 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
80pF @ 60V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
0.8nC @ 5V |
FET型 |
2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET特点 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
漏极至源极电压(Vdss) |
120V |
详细说明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
3.4A |