型号 : |
EPC2107ENGRT |
厂家/品牌 : |
EPC |
描述 : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
33224 pcs |
数据库 |
EPC2107ENGRT.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
供应商设备封装 |
9-BGA (1.35x1.35) |
系列 |
eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
功率 - 最大 |
- |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
9-VFBGA |
其他名称 |
917-EPC2107ENGRTR |
工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET型 |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET特点 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
详细说明 |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
1.7A, 500mA |