| 型号 : | EPC2100ENG |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | EPC |
| 描述 : | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 5630 pcs |
| 数据库 | EPC2100ENG.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| 供应商设备封装 | Die |
| 系列 | eGaN® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| 功率 - 最大 | - |
| 封装 | Tray |
| 封装/箱体 | Die |
| 其他名称 | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特点 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 10A (Ta), 40A (Ta) |
EPC
