型号 : |
EPC2045ENGRT |
厂家/品牌 : |
EPC |
描述 : |
TRANS GAN 100V BUMPED DIE |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
10777 pcs |
数据库 |
EPC2045ENGRT.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
2.5V @ 5mA |
Vgs(最大) |
+6V, -4V |
技术 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
供应商设备封装 |
Die |
系列 |
eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
7 mOhm @ 16A, 5V |
功率耗散(最大) |
- |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封装/箱体 |
Die |
其他名称 |
917-EPC2045ENGRCT |
工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
14 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
685pF @ 50V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
6.5nC @ 5V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
5V |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
详细说明 |
N-Channel 100V 16A (Ta) Surface Mount Die |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
16A (Ta) |