型号 : |
ZXMN3G32DN8TA |
厂家/品牌 : |
Diodes Incorporated |
描述 : |
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
57007 pcs |
数据库 |
ZXMN3G32DN8TA.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
3V @ 250µA |
供应商设备封装 |
8-SO |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
28 mOhm @ 6A, 10V |
功率 - 最大 |
1.8W |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封装/箱体 |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名称 |
1034-ZXMN3G32DN8CT |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
26 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
472pF @ 15V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
10.5nC @ 10V |
FET型 |
2 N-Channel (Dual) |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
详细说明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
5.5A |