型号 : | UMB3NTN |
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厂家/品牌 : | LAPIS Semiconductor |
描述 : | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 460445 pcs |
数据库 | 1.UMB3NTN.pdf2.UMB3NTN.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 | UMT6 |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | - |
电阻器 - 基座(R1) | 4.7 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封装/箱体 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名称 | UMB3NTNCT |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 10 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 | 250MHz |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 100 @ 1mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |
基础部件号 | MB3 |