型号 : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
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厂家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 43346 pcs |
数据库 | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 3V @ 1mA |
Vgs(最大) | +10V, -20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | DPAK+ |
系列 | U-MOSVI |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
功率耗散(最大) | 68W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名称 | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
工作温度 | 175°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 3950pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 80nC @ 10V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 6V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
详细说明 | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 30A (Ta) |