型号 : | STU6N60M2 |
---|---|
厂家/品牌 : | STMicroelectronics |
描述 : | MOSFET N-CH 600V IPAK |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 51444 pcs |
数据库 | STU6N60M2.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | I-PAK |
系列 | MDmesh™ II Plus |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
功率耗散(最大) | 60W (Tc) |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名称 | 497-13978-5 STU6N60M2-ND |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 232pF @ 100V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
详细说明 | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 4.5A (Tc) |