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STGWT80H65DFB

型号 : STGWT80H65DFB
厂家/品牌 : STMicroelectronics
描述 : IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
RoHs状态 : 无铅/符合RoHS
可用库存 8385 pcs
数据库 STGWT80H65DFB.pdf
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC 2V @ 15V, 80A
测试条件 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C 84ns/280ns
开关能量 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
供应商设备封装 TO-3P
系列 -
反向恢复时间(trr) 85ns
功率 - 最大 469W
封装 Tube
封装/箱体 TO-3P-3, SC-65-3
其他名称 497-14234-5
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 Through Hole
湿度敏感度等级(MSL) 1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态 Lead free / RoHS Compliant
输入类型 Standard
IGBT类型 Trench Field Stop
栅极电荷 414nC
详细说明 IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
电流 - 集电极脉冲(ICM) 240A
电流 - 集电极(Ic)(最大) 120A
STGWT80H65DFB
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