型号 : |
STGWT80H65DFB |
厂家/品牌 : |
STMicroelectronics |
描述 : |
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
8385 pcs |
数据库 |
STGWT80H65DFB.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
650V |
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC |
2V @ 15V, 80A |
测试条件 |
400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
Td(开/关)@ 25°C |
84ns/280ns |
开关能量 |
2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
供应商设备封装 |
TO-3P |
系列 |
- |
反向恢复时间(trr) |
85ns |
功率 - 最大 |
469W |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-3P-3, SC-65-3 |
其他名称 |
497-14234-5 |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 |
Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入类型 |
Standard |
IGBT类型 |
Trench Field Stop |
栅极电荷 |
414nC |
详细说明 |
IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P |
电流 - 集电极脉冲(ICM) |
240A |
电流 - 集电极(Ic)(最大) |
120A |