型号 : | STB10N60M2 |
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厂家/品牌 : | STMicroelectronics |
描述 : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 30237 pcs |
数据库 | STB10N60M2.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | D2PAK |
系列 | MDmesh™ II Plus |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 600 mOhm @ 3A, 10V |
功率耗散(最大) | 85W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名称 | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 42 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 400pF @ 100V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
详细说明 | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 7.5A (Tc) |
基础部件号 | STB10N60 |