| 型号 : |
SIHP28N65E-GE3 |
| 厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 : |
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
| RoHs状态 : |
|
| 可用库存 |
10695 pcs |
| 数据库 |
SIHP28N65E-GE3.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 |
4V @ 250µA |
| Vgs（最大） |
±30V |
| 技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 |
TO-220AB |
| 系列 |
- |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 |
112 mOhm @ 14A, 10V |
| 功率耗散（最大） |
250W (Tc) |
| 封装 |
Tube |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 |
Through Hole |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds |
3405pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs |
140nC @ 10V |
| FET型 |
N-Channel |
| FET特点 |
- |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） |
10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） |
650V |
| 详细说明 |
N-Channel 650V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） |
29A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
