型号 : | SI8851EDB-T2-E1 |
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厂家/品牌 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 125829 pcs |
数据库 | SI8851EDB-T2-E1.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | Power Micro Foot® (2.4x2) |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 660mW (Ta) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 30-XFBGA |
其他名称 | SI8851EDB-T2-E1TR |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 6900pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 180nC @ 8V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 1.8V, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
详细说明 | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 7.7A (Ta) |
基础部件号 | SI8851 |