型号 : |
SI7860ADP-T1-GE3 |
厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
5133 pcs |
数据库 |
SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
3V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
PowerPAK® SO-8 |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
9.5 mOhm @ 16A, 10V |
功率耗散(最大) |
1.8W (Ta) |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
PowerPAK® SO-8 |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
18nC @ 4.5V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
4.5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
详细说明 |
N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
11A (Ta) |