型号 : |
SI6404DQ-T1-E3 |
厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
5489 pcs |
数据库 |
SI6404DQ-T1-E3.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
600mV @ 250µA |
Vgs(最大) |
±12V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
8-TSSOP |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
9 mOhm @ 11A, 10V |
功率耗散(最大) |
1.08W (Ta) |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
48nC @ 4.5V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
2.5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
详细说明 |
N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
8.6A (Ta) |