| 型号 : |
SI5920DC-T1-GE3 |
| 厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 : |
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
4349 pcs |
| 数据库 |
SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 |
1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 |
1206-8 ChipFET™ |
| 系列 |
TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 |
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| 功率 - 最大 |
3.12W |
| 封装 |
Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 |
8-SMD, Flat Lead |
| 其他名称 |
SI5920DC-T1-GE3TR |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds |
680pF @ 4V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs |
12nC @ 5V |
| FET型 |
2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 |
Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss） |
8V |
| 详细说明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） |
4A |
| 基础部件号 |
SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
