型号 : |
SI5903DC-T1-GE3 |
厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
5678 pcs |
数据库 |
SI5903DC-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
600mV @ 250µA (Min) |
供应商设备封装 |
1206-8 ChipFET™ |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
功率 - 最大 |
1.1W |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
8-SMD, Flat Lead |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
- |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
6nC @ 4.5V |
FET型 |
2 P-Channel (Dual) |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
详细说明 |
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
2.1A |
基础部件号 |
SI5903 |