| 型号 : | SI4922BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 : | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 39052 pcs |
| 数据库 | SI4922BDY-T1-GE3.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1.8V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 系列 | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 16 mOhm @ 5A, 10V |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称 | SI4922BDY-T1-GE3-ND SI4922BDY-T1-GE3TR |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 33 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 2070pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 62nC @ 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 8A |
| 基础部件号 | SI4922 |
