型号 : |
SI3905DV-T1-GE3 |
厂家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
4549 pcs |
数据库 |
SI3905DV-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
450mV @ 250µA (Min) |
供应商设备封装 |
6-TSOP |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
功率 - 最大 |
1.15W |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
- |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
6nC @ 4.5V |
FET型 |
2 P-Channel (Dual) |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) |
8V |
详细说明 |
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
- |