型号 : |
SCT3022ALGC11 |
厂家/品牌 : |
LAPIS Semiconductor |
描述 : |
MOSFET NCH 650V 93A TO247N |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
900 pcs |
数据库 |
1.SCT3022ALGC11.pdf2.SCT3022ALGC11.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
5.6V @ 18.2mA |
Vgs(最大) |
+22V, -4V |
技术 |
SiCFET (Silicon Carbide) |
供应商设备封装 |
TO-247N |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
28.6 mOhm @ 36A, 18V |
功率耗散(最大) |
339W (Tc) |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
工作温度 |
175°C (TJ) |
安装类型 |
Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
2208pF @ 500V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
133nC @ 18V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
18V |
漏极至源极电压(Vdss) |
650V |
详细说明 |
N-Channel 650V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
93A (Tc) |