型号 : |
RN4608(TE85L,F) |
厂家/品牌 : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : |
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
312954 pcs |
数据库 |
RN4608(TE85L,F).pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
300mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 |
SM6 |
系列 |
- |
电阻器 - 发射器底座(R2) |
47 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) |
22 kOhms |
功率 - 最大 |
300mW |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封装/箱体 |
SC-74, SOT-457 |
其他名称 |
RN4608(TE85LF)CT |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 |
200MHz |
详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
80 @ 10mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大) |
100mA |