型号 : | RN2115MFV,L3F |
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厂家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 999976 pcs |
数据库 | RN2115MFV,L3F.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 500µA, 5mA |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
供应商设备封装 | VESM |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | 10 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) | 2.2 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封装/箱体 | SOT-723 |
其他名称 | RN2115MFVL3F |
安装类型 | Surface Mount |
制造商标准交货期 | 16 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 50 @ 10mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |