型号 : |
RN2110CT(TPL3) |
厂家/品牌 : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : |
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
5051 pcs |
数据库 |
RN2110CT(TPL3).pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
20V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
150mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 |
PNP - Pre-Biased |
供应商设备封装 |
CST3 |
系列 |
- |
电阻器 - 基座(R1) |
4.7 kOhms |
功率 - 最大 |
50mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
SC-101, SOT-883 |
其他名称 |
RN2110CT(TPL3)TR |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
300 @ 1mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大) |
50mA |