型号 : | RN1964FE(TE85L,F) |
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厂家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 453066 pcs |
数据库 | RN1964FE(TE85L,F).pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 | ES6 |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | 47 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) | 47 kOhms |
功率 - 最大 | 100mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | SOT-563, SOT-666 |
其他名称 | RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 | 250MHz |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 10mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |