| 型号 : |
RN1909FE(TE85L,F) |
| 厂家/品牌 : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
390171 pcs |
| 数据库 |
RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） |
50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC |
300mV @ 250µA, 5mA |
| 晶体管类型 |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 供应商设备封装 |
ES6 |
| 系列 |
- |
| 电阻器 - 发射器底座（R2） |
22 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1） |
47 kOhms |
| 功率 - 最大 |
100mW |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体 |
SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称 |
RN1909FE(TE85LF)CT |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换 |
250MHz |
| 详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大） |
100nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
