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RN1406,LF

型号 : RN1406,LF
厂家/品牌 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RoHs状态 : 无铅/符合RoHS
可用库存 1582605 pcs
数据库 RN1406,LF.pdf
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
供应商设备封装 S-Mini
系列 -
电阻器 - 发射器底座(R2) 47 kOhms
电阻器 - 基座(R1) 4.7 kOhms
功率 - 最大 200mW
封装 Tape & Reel (TR)
封装/箱体 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称 RN1406,LF(B
RN1406,LF(T
RN1406LFTR
RN1406S,LF
RN1406SLF
RN1406SLFTR
RN1406SLFTR-ND
安装类型 Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL) 1 (Unlimited)
制造商标准交货期 12 Weeks
无铅状态/ RoHS状态 Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换 250MHz
详细说明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce 80 @ 10mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大) 100mA
基础部件号 RN140*
Toshiba Semiconductor and Storage 图像仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格。 请放心从icgogogo.com购买RN1406,LF,我们提供1年保修
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