| 型号 : |
RGT8BM65DTL |
| 厂家/品牌 : |
LAPIS Semiconductor |
| 描述 : |
IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
42198 pcs |
| 数据库 |
1.RGT8BM65DTL.pdf2.RGT8BM65DTL.pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） |
650V |
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC |
2.1V @ 15V, 4A |
| 测试条件 |
400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C |
17ns/69ns |
| 开关能量 |
- |
| 供应商设备封装 |
TO-252 |
| 系列 |
- |
| 反向恢复时间（trr） |
40ns |
| 功率 - 最大 |
62W |
| 封装 |
Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名称 |
RGT8BM65DTLTR |
| 工作温度 |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 |
15 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 输入类型 |
Standard |
| IGBT类型 |
Trench Field Stop |
| 栅极电荷 |
13.5nC |
| 详细说明 |
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252 |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM） |
12A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） |
8A |
LAPIS Semiconductor
