型号 : | PMWD16UN,518 |
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厂家/品牌 : | NXP Semiconductors / Freescale |
描述 : | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4355 pcs |
数据库 | PMWD16UN,518.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 700mV @ 1mA |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
系列 | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
功率 - 最大 | 3.1W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名称 | 568-2360-2 934057596518 PMWD16UN /T3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 1366pF @ 16V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 9.9A |