型号 : | PHM30NQ10T,518 |
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厂家/品牌 : | NXP Semiconductors / Freescale |
描述 : | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 5690 pcs |
数据库 | PHM30NQ10T,518.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | 8-HVSON (6x5) |
系列 | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 20 mOhm @ 18A, 10V |
功率耗散(最大) | 62.5W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-VDFN Exposed Pad |
其他名称 | 934057308518 PHM30NQ10T /T3 PHM30NQ10T /T3-ND |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 3600pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 53.7nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
详细说明 | N-Channel 100V 37.6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5) |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 37.6A (Tc) |