型号 : | PDTC114YS,126 |
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厂家/品牌 : | NXP Semiconductors / Freescale |
描述 : | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 5519 pcs |
数据库 | PDTC114YS,126.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 100mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | 47 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) | 10 kOhms |
功率 - 最大 | 500mW |
封装 | Tape & Box (TB) |
封装/箱体 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名称 | 934057566126 PDTC114YS AMO PDTC114YS AMO-ND |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 100 @ 5mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |
基础部件号 | PDTC114 |