| 型号 : |
NTZD3155CT1G |
| 厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : |
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
267941 pcs |
| 数据库 |
NTZD3155CT1G.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 |
1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 |
SOT-563 |
| 系列 |
- |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 |
550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| 功率 - 最大 |
250mW |
| 封装 |
Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 |
SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称 |
NTZD3155CT1GOSTR |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 |
46 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds |
150pF @ 16V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs |
2.5nC @ 4.5V |
| FET型 |
N and P-Channel |
| FET特点 |
Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss） |
20V |
| 详细说明 |
Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） |
540mA, 430mA |
| 基础部件号 |
NTZD3155C |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
