型号 : |
NTB5605P |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
RoHs状态 : |
包含铅/ RoHS不兼容 |
可用库存 |
4355 pcs |
数据库 |
NTB5605P.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
2V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
D2PAK |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
140 mOhm @ 8.5A, 5V |
功率耗散(最大) |
88W (Tc) |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Contains lead / RoHS non-compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
1190pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
22nC @ 5V |
FET型 |
P-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
5V |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
详细说明 |
P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
18.5A (Ta) |