型号 : |
NSVMUN5133DW1T1G |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
332017 pcs |
数据库 |
NSVMUN5133DW1T1G.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
250mV @ 300µA, 10mA |
晶体管类型 |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
系列 |
Automotive, AEC-Q101 |
电阻器 - 发射器底座(R2) |
47 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) |
4.7 kOhms |
功率 - 最大 |
250mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
40 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 |
- |
详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
80 @ 5mA, 10V |
电流 - 集电极截止(最大) |
500nA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) |
100mA |