型号 : | NSBC124XDXV6T1G |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 418811 pcs |
数据库 | NSBC124XDXV6T1G.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 | SOT-563 |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | 47 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) | 22 kOhms |
功率 - 最大 | 500mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | SOT-563, SOT-666 |
其他名称 | NSBC124XDXV6T1GOS NSBC124XDXV6T1GOS-ND NSBC124XDXV6T1GOSTR |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 16 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 | - |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 10V |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |
基础部件号 | NSBC1* |