型号 : |
NSBA113EDXV6T1 |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
RoHs状态 : |
包含铅/ RoHS不兼容 |
可用库存 |
4238 pcs |
数据库 |
NSBA113EDXV6T1.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
250mV @ 5mA, 10mA |
晶体管类型 |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 |
SOT-563 |
系列 |
- |
电阻器 - 发射器底座(R2) |
1 kOhms |
电阻器 - 基座(R1) |
1 kOhms |
功率 - 最大 |
500mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
SOT-563, SOT-666 |
其他名称 |
NSBA113EDXV6T1OS |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Contains lead / RoHS non-compliant |
频率 - 转换 |
- |
详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
3 @ 5mA, 10V |
电流 - 集电极截止(最大) |
500nA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) |
100mA |
基础部件号 |
NSBA1* |