型号 : | NJW44H11G |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | TRANS NPN 80V 10A TO-3P |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 35654 pcs |
数据库 | NJW44H11G.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
晶体管类型 | NPN |
供应商设备封装 | TO-3P-3L |
系列 | - |
功率 - 最大 | 120W |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-3P-3, SC-65-3 |
其他名称 | NJW44H11G-ND NJW44H11GOS |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 4 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 | 85MHz |
详细说明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 85MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 4A, 2V |
电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 10A |