型号 : |
MURTA200120 |
厂家/品牌 : |
GeneSiC Semiconductor |
描述 : |
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
378 pcs |
数据库 |
MURTA200120.pdf |
电压 - 正向(Vf)(最大) |
2.6V @ 100A |
电压 - (Vr)(最大) |
1200V |
供应商设备封装 |
Three Tower |
速度 |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
系列 |
- |
封装 |
Bulk |
封装/箱体 |
Three Tower |
工作温度 - 结 |
-55°C ~ 150°C |
安装类型 |
Chassis Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
4 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
二极管类型 |
Standard |
二极管配置 |
1 Pair Common Cathode |
详细说明 |
Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
电流 - Vr时反向漏电 |
25µA @ 1200V |
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) |
100A |