| 型号 : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | ON Semiconductor |
| 描述 : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 1001518 pcs |
| 数据库 | MUN5113DW1T1G.pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100mA |
| 电压 - 击穿 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 50V |
| 系列 | - |
| RoHS状态 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻 - 发射极基（R 2）（欧姆） | 47k |
| 电阻 - 基（R 1）（欧姆） | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 极化 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 其他名称 | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 47k |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 10 Weeks |
| 制造商零件编号 | MUN5113DW1T1G |
| 频率 - 转换 | 80 @ 5mA, 10V |
| 展开说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 描述 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce | 500nA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
