型号 : | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
---|---|
厂家/品牌 : | Micron Technology |
描述 : | IC DRAM 16G 800MHZ FBGA |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 1520 pcs |
数据库 | |
写周期时间 - 字,页 | - |
电压 - 电源 | 1.2V |
技术 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
系列 | - |
其他名称 | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND MT52L256M64D2QB-125XTES:B |
工作温度 | - |
湿度敏感度等级(MSL) | 3 (168 Hours) |
内存类型 | Volatile |
内存大小 | 16Gb (256M x 64) |
内存接口 | - |
内存格式 | DRAM |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz |
时钟频率 | 800MHz |