| 型号 : |
MMUN2131LT1G |
| 厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : |
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
4200 pcs |
| 数据库 |
MMUN2131LT1G.pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） |
50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC |
250mV @ 5mA, 10mA |
| 晶体管类型 |
PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装 |
SOT-23-3 (TO-236) |
| 系列 |
- |
| 电阻器 - 发射器底座（R2） |
2.2 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1） |
2.2 kOhms |
| 功率 - 最大 |
246mW |
| 封装 |
Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce |
8 @ 5mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大） |
500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） |
100mA |
| 基础部件号 |
MMUN21**L |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
