型号 : | MCR08BT1,115 |
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厂家/品牌 : | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
描述 : | THYRISTOR 0.8A 200V SOT223 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 240755 pcs |
数据库 | MCR08BT1,115.pdf |
电压 - 导通状态(VTM)(最大) | 1.7V |
电压 - 断路 | 200V |
电压 - 栅极触发(VGT)(最大值) | 800mV |
供应商设备封装 | SOT-223 |
系列 | - |
SCR类型 | Sensitive Gate |
封装 | Cut Tape (CT) |
封装/箱体 | TO-261-4, TO-261AA |
其他名称 | 1740-1191-1 568-11221-1 568-11221-1-ND |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 | SCR 200V 800mA Sensitive Gate Surface Mount SOT-223 |
电流 - 导通状态(IT(RMS))(最大) | 800mA |
电流 - 导通状态(IT(AV))(最大值) | 500mA |
电流 - 关闭状态(最大值) | 100µA |
电流 - 非众议员浪涌50,60赫兹(ITSM) | 8A, 9A |
电流 - 维持(Ih)(最大值) | 5mA |
电流 - 栅极触发(IGT)(最大值) | 200µA |