型号 : |
IXTQ60N20L2 |
厂家/品牌 : |
IXYS Corporation |
描述 : |
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
RoHs状态 : |
免费豁免/符合RoHS标准 |
可用库存 |
2771 pcs |
数据库 |
IXTQ60N20L2.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
TO-3P |
系列 |
Linear L2™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
45 mOhm @ 30A, 10V |
功率耗散(最大) |
540W (Tc) |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-3P-3, SC-65-3 |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
24 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free by exemption / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
10500pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
255nC @ 10V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
200V |
详细说明 |
N-Channel 200V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
60A (Tc) |