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首  页产品展示集成电路 (集成电路)内存IS61NVP51236B-200B3LI

IS61NVP51236B-200B3LI

型号 : IS61NVP51236B-200B3LI
厂家/品牌 : ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
描述 : IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHs状态 : 无铅/符合RoHS
可用库存 2598 pcs
数据库 IS61NVP51236B-200B3LI.pdf
写周期时间 - 字，页 -
电压 - 电源 2.375 V ~ 2.625 V
技术 SRAM - Synchronous
供应商设备封装 165-TFBGA (13x15)
系列 -
封装 Tray
封装/箱体 165-TBGA
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL） 3 (168 Hours)
内存类型 Volatile
内存大小 18Mb (512K x 36)
内存接口 Parallel
内存格式 SRAM
无铅状态/ RoHS状态 Lead free / RoHS Compliant
详细说明 SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
时钟频率 200MHz
访问时间 3ns
IS61NVP51236B-200B3LI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) 图像仅供参考。有关产品详细信息，请参阅产品规格。 请放心从icgogogo.com购买IS61NVP51236B-200B3LI，我们提供1年保修
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