| 型号 : | IRF9952 |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 描述 : | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| RoHs状态 : | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 可用库存 | 5310 pcs |
| 数据库 | IRF9952.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 系列 | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称 | *IRF9952 SP001563782 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 190pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 14nC @ 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 详细说明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 3.5A, 2.3A |
International Rectifier (Infineon Technologies)
