型号 : | IRF6611TRPBF |
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厂家/品牌 : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
描述 : | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4019 pcs |
数据库 | IRF6611TRPBF.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 2.25V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | DIRECTFET™ MX |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
功率耗散(最大) | 3.9W (Ta), 89W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | DirectFET™ Isometric MX |
其他名称 | IRF6611TRPBFTR SP001531702 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 4860pF @ 15V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 56nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
详细说明 | N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 32A (Ta), 150A (Tc) |